شما بازدید کنند محترم میتوانید با هزینه ی اندکی فایل (حکاکی) را تهیه فرمایید.

قسمتی از متن :

‏- 33 -

‏حکاکی لایه نازک SiO2

‏معمولاً بوسیله رقیق کردن یا Buffer‏ کردن HF‏ انجام می شود.

‏حکاکی های PSG‏ 10 بار سریع تر از اکسید رشد یافته حرارتی می باشد.

‏حکاکی Anisotropic‏ در مورد Si‏ با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون در ترکیبی از C2 F6‏ ‏و CH3F‏ انجام می شود. قابلیت انتخاب روی Si‏ خوب است، امّا‏ روی Si3N4‏ ‏ خوب نیست .

‏حکاکی لایه نازک Si3N4

‏حکاکی کننده تر در دم‏ای H3PO4,140 – 200C ‏ ‏ ‏می باشد.‏ SiO2‏ ‏حاصل از لایه نشانی بخار شیمیایی یک ماسک حکاکی خوب است. قابلیت انتخاب روی Si‏ خیلی خوب است. حکاکی Anisotropic‏ برای Si3N4‏ با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون ( Ion assisted Plasma etching )‏ در ترکیبی از C2F6‏ ‏و CH3F‏ انجام می شود.

‏حکاکی قربانی ( sacrificial )

‏قابل‏یت انتخاب حکاکی sacrifical‏ روی Si‏ باید خیلی بالا باشد. مواد متداول مورد استفاده PSG‏ و Photorestis‏ ,‏ Polyimide‏ ها می باشند. PSG‏ با استفاده از Resist‏ برداشته می شود‏.

Polyimide‏ ها ‏با استفاده از حکاکی پلاسما برداشته می شوند.

‏2 ‏–‏ 14 ‏–‏ ساختار پایه ( Basic structures )

‏2 ‏–‏ 14 ‏–‏ 1 ‏–‏ در میکرو ماشینی‏ن‏گ توده ای سیلیکون

‏یکی از ممکن ترین و بارزترین ساختارها الگودهی هادی های عایق شده الکتریکی است. یکی از کاربردهای آن می تواند‏ استفاده از میدان های الکتریکی برای ساختن سلول های انفرادی باشد.

‏حکاکی Anisotropic‏ به وسیله KOH‏ به آسانی می تواند کانال های V ( grooves )‏ شکل را ایجاد کند، یا گودال های ( Pits )‏ با دیواره های مخروطی شکل را داخل سیلیکون برش دهد.

‏- 34 -

‏شکل 2 ‏–‏ 32

KOH‏ همچنین می توند برای ایجاد ساختارهای تپه ای شکل با شیب تند استفاده شود ( شکل a ‏ ). وقتی که تپه ها حکاکی شده و پی ریزی می شوند، گوشه ها می توانند به شکل اریب در بیایند. ( شکل b ‏ ). ماسک طراحی برای در برگرفتن ساختارهای اضافی در گوشه ها طراحی می شود. ‏این ساختارهای جبران ساز آن چنان طراحی می شوند که وقتی که گوشه های 90 درجه تشکیل شدند، کاملاً حکاکی می شوند. یکی از مشکلات استفاده از ساختارهای جبران ساز برای تشکیل ‏گوشه های راست زاویه این است که آنها محدودیتی روی کمترین فضای بین تپه ها ایجاد می کنند.

‏شکل 2 ‏–‏ 34

‏دیافراگم های سیلیکون از حدودm ‏µ‏ 50‏ ‏به بالا به وسیله حکاکی ویفر کامل سیلیکون با KOH‏ می تواند ساخته شود. ضخامت به وسیله زمان بندی حکاکی کنترل می شود و همین مسئله موضوعی برای خطاها می شود.

‏شکل 2 ‏–‏ 35

‏دیافرگم های نازک تر، در حدود ضخامت 20 µm‏ می تواند با استفاده از بور برای متوقف کردن حکاکی KOH‏ ساخته شود. ( شکل 2 ‏–‏ 36 ) ضخامت دیافراگم وابسته به عمق بور تزریق شده داخل سیلیکون می باشد، که می تواند خیلی دقیق تر از حکاکی KOH‏ زمان بندی شده و کنترل شود.

تصاویری از چند صفحه نخست فایل :

توجه فرمایید بدلیل تهیه ی تصویر با نرم افزار های خارجی متن نمایش داده شده در تصاویر ممکن است دارای اشکالاتی در نمایش برخی حروف باشد که در فایل اصلی بدون مشکل است